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【导(dǎo)语(yǔ)】据(jù)台(tái)积(jī)电(diàn)官(guān)方(fāng)消(xiāo)息(xi)，其(qí)2nm（N2）技(jì)术(shù)按(àn)计(jì)划(huà)将(jiāng)于(yú)2025年(nián)四(sì)季(jì)度(dù)量(liàng)产(chǎn)，采用(yòng)第(dì)一(yī)代(dài)纳(nà)米(mǐ)片(piàn)晶(jīng)体(tǐ)管(guǎn)技(jì)术(shù)，较(jiào)N3E工(gōng)艺(yì)在(zài)性(xìng)能(néng)与(yǔ)功(gōng)耗(hào)上(shàng)全节(jié)点(diǎn)显(xiǎn)著(zhe)提(tí)升(shēng)，还(hái)新(xīn)增(zēng)SHPMIM电(diàn)容(róng)器(qì)，智(zhì)能(néng)设(shè)备(bèi)或(huò)迎(yíng)性(xìng)能(néng)革(gé)命(mìng)。

据(jù)台(tái)积(jī)电(diàn)官(guān)方(fāng)介(jiè)绍(shào)，台(tái)积(jī)电(diàn)2nm（N2）技(jì)术(shù)已(yǐ)按(àn)计(jì)划(huà)于(yú)2025年(nián)第(dì)四(sì)季(jì)度(dù)投(tóu)入(rù)量(liàng)产(chǎn)，其(qí)N2技(jì)术(shù)采用(yòng)了(le)第(dì)一(yī)代(dài)纳(nà)米(mǐ)片(piàn)晶(jīng)体(tǐ)管（nanosheettransistor）技术。

与已经非常优秀的N3E工艺相比，N2技术在性能与功耗方面实现了全节点的显著(zhe)提(tí)升(shēng)。

在(zài)同(tóng)样(yàng)功(gōng)耗(hào)下(xià)，性(xìng)能(néng)（速(sù)度(dù)）提(tí)升(shēng)10%–15%。

在(zài)同(tóng)样(yàng)速(sù)度(dù)下(xià)，功(gōng)耗(hào)降(jiàng)低(dī)25%–30%。

此(cǐ)外(wài)，N2还(hái)在(zài)供(gōng)电(diàn)网(wǎng)络(luò)中(zhōng)增(zēng)加(jiā)了(le)超(chāo)高(gāo)性(xìng)能(néng)金(jīn)属(shǔ)-绝(jué)缘(yuán)体-金属(Super-High-Performance Metal-Insulator-Metal,SHPMIM)电容器。

这意味着我们手中的智能手机、驱动AI世界的庞大算力、以及未来一切智能设备，都即将迎来一场性能革命。